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意法半导体IC芯片IRF634

意法半导体IC芯片IRF634

IRF634使用最新的高电压叠加网工艺,意法半导体设计了一个功率MOSFET表现突出的先进家庭。IC可以查看更多详细资料
技术/目录资讯:IRF634
供应商:意法半导体
分类:分立半导体产品  
安装类型:通孔  
场效应管的极性:N沟道
漏极至源极电压(Vdss):250V
电流 - 连续漏极(编号): 25 8A
RDS的开(最大值):VGS @ 450毫欧的第4A10V
输入电容(西塞): 770pF @ 25V
功率 - 最大:0
包装:
栅极电荷:1.8nC @ 10V
封装/外壳 :O - 220 - 3(直导线)  
场效应管的特征:
无铅状态:
RoHS状态:RoHS

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