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小魔 论坛平民

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小 发表于 2010-11-18 15:04 只看该作者
意法半导体IC芯片IRF634
IRF634使用最新的高电压叠加网™工艺,意法半导体设计了一个功率MOSFET表现突出的先进家庭。库IC网可以查看更多详细资料
技术/目录资讯:IRF634
供应商:意法半导体
分类:分立半导体产品
安装类型:通孔
场效应管的极性:N沟道
漏极至源极电压(Vdss):250V的
电流 - 连续漏极(编号): 25℃ 8A条
RDS的开(最大值):VGS的 @ 450毫欧的第4A,10V的
输入电容(西塞): 770pF @ 25V的
功率 - 最大:0瓦
包装:
栅极电荷:1.8nC @ 10V的
封装/外壳 :O - 220 - 3(直导线)
场效应管的特征:准
无铅状态:铅
RoHS状态:合RoHS
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